По-простому название флешка ей пользуются практически все для обмена информацией. Что же это такое – разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписывающей памяти. Она может сколько угодно раз прочитана, но записывать на нее можно ограниченное число раз, но как правило очень много около миллиона раз. В отличие от жесткого диска не имеет подвижных частей, соответственно не подтверждена механическим воздействиям. Благодаря своей портативности зачастую используется в портативных устройствах (фотоаппараты, плейеры, сотовые телефоны и т.п.).
Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, которые называются ячейками. В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками каждая из них может хранить только один бит информации, но новые устройства с многоуровневыми ячейками может хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.
В основе памяти типа NOR лежит элемент ИЛИ-НЕ, в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу. Транзистор имеет два затвора плавающий и управляющий. Плавающий затвор полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке также имеется сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создается электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируются через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет ширину канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.
Программирование и чтение ячеек сильно различают в энергопотреблении: при записи они потребляют достаточно большой ток, а при чтении очень малый. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят на исток. В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, тем самым соответственно увеличиваются размеры схемы. Но эту проблему можно решить с помощью NAND архитектуры.
В основе NAND архитектуре лежат элементы И-НЕ. Принцип работы такой же как и описан выше, отличается только размещением ячеек и их контактами. Не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, соответственно размер и стоимость чипа существенно меньше. Запись и стирание происходят существенно быстрее, недостатком стоит отметить нельзя обращаться к произвольной ячейке.
Оба вида архитектуры существуют параллельно и никак не конкурирую с друг с другом и находят свое применение в разных областях.
Вам понравилась статья и есть желание помочь моему проекту, можете пожертвовать на дальнейшее развитие воспользовавшись формой ниже. Или достаточно просто открыть пару баннеров с рекламой, это тоже поможет мне, но и не затруднит Вас.
Добрый день.
Меня зовут Кристина и я представляю платформу нативной рекламы LuckyAds
Хотим начать сотрудничество с вашим сайтом cool-zero.ru
Хотели бы разместить наш нативный блок у вас на сайте и зарабатывать вместе
Уже работаем со многими сайтами, например:
— primpress.ru
— mgorod.kz
— sm.news
— pkzsk.info
Отзывы о нас:
— partnerkin.com
— otzyvmarketing.ru
Можем обсудить подробнее?